Только лучшие рефераты рунета    
 
 

Партнеры:



 
 

Реферат "Архитектура, назначение и особенности различных поколений ОЗУ"


Архитектура, назначение и особенности различных поколений ОЗУ

Содержание

Содержание

Введение

Особенности построения и основные параметры типовых ОЗУ

Классификация и основные характеристики ОЗУ

Кэш-память

Статическая память (SRAM)

Динамическая память (DRAM)

Эволюция микросхем памяти

Страничный режим, расслоение банков

SDRAM : день сегодняшний

Истинная скорость работы

Прогресс технологии

Микросхемы и модули

Контроль чётности

Маркировка модулей памяти

Стандарт РС 100

Логическая организация памяти

Дополнительная (expanded) память

Расширенная (extended) память

Заключение

Список используемой литературы

Введение

Под архитектурой ОЗУ принято понимать совокупность представлений о составе его компонентов, организации обмена информацией с внешней средой, а также о функциональных возможностях, реализуемых посредствам команд.

Цель данной курсовой работы: анализ архитектуры, назначения и особенности различных поколений ОЗУ. Начиная с первых 16-разрядных микросхем памяти; чипов памяти, применяемых в сегодняшних РС(кэш-память, SRAM, DRAM); и перспективные направления развития оперативной памяти. Будут рассмотрены логическая организация памяти, быстродействие, синхронизация работы (по отношению к процессору), контроль чётности, режимы страничного доступа, расслоение ОЗУ на банки и пакетно- конвейерный режим.

Все персональные компьютеры используют три вида памяти: оперативную, постоянную и внешнюю (различные накопители). Память нужна как для исходных данных так и для хранения результатов. Она необходима для взаимодействия с периферией компьютера и даже для поддержания образа, видимого на экране. Вся память компьютера делится на внутреннюю и внешнюю. В компьютерных системах работа с памятью основывается на очень простых концепциях. В принципе, всё, что требуется от компьютерной памяти, - это сохранять один бит информации так, чтобы потом он мог быть извлечён оттуда.

Оперативная память предназначена для хранения переменной информации, так как она допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения микропроцессором соответствующих операций.

В компьютерах с архитектурой фон Неймана (к этому классу относятся практически все ЭВМ, в том числе и РС)оперативная память играет очень важную роль. Именно в ней хранятся все выполняемые программы и их данные. Работа осуществляется центральным процессором и оперативной памятью, остальные же компоненты любой вычислительной системы напрямую в процессе вычисления не участвуют.

ОЗУ предназначено для хранения переменной информации, оно допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения процессором вычислительных операций с данными. Это значит, что процессор может выбрать (режим считывания) из ОЗУ код команды и данные и после обработки поместить в ОЗУ (режим записи) полученный результат. Причём возможно размещение в ОЗУ новых данных на месте прежних, которые в этом случае перестают существовать. таким образом, ОЗУ может работать в режимах записи считывания и хранения информации. Все программы, в том числе и игровые, выполняются именно в оперативной памяти.

Особенности построения и основные параметры типовых ОЗУ

Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой технологии на основе кремния с высокой степенью интеграции на кристалле, что определяет их принадлежность к БИС. Для самой общей характеристики БИС памяти принимают в расчёт, прежде всего, их информационную ёмкость, быстродействие, энергопотребление.

Основной составной частью микросхем ОЗУ является массив элементов памяти, объединенных в матрицу накопителя (рис.1). Элемент памяти (ЭП) может хранить 1 Бит (0 Бит) информации. Каждый ЭП имеет свой адрес. Для обращения к ЭП необходимо его выбрать с помощью кода адреса. ОЗУ которое допускает обращения по адресу к любому ЭП в произвольном порядке, называется ОЗУ с произвольным доступом. Последовательный доступ предусматривает обращение к отдельным ЭП только в порядке возрастания или убывания их адресов.

Разрядность кода адреса т , равна числу двоичных единиц в нём, определяет информационную ёмкость микросхемы ОЗУ, т. е. число ЭП в матрице накопителя, которое можно адресовать (2 т ). Для ввода и вывода информации служит вход и выход микросхемы. Для управления режимом микросхемы памяти необходим сигнал “Запись /считывание”, значение 1 определяет режим записи бита информации в ЭП , а 0 - режим считывания. Такую организацию матрицы накопителя, когда одновременно ведется запись и считывание, называют одноразрядной. Существуют и матрицы с многоразрядной организацией, иначе называемой “словарной”. У таких микросхем несколько информационных входов и столько же выходов, и поэтому они допускают одновременную запись (считывание) многоразрядного кода, который принято называть словом.

Оперативная память предназначена для сравнительно кратковременного хранения информации и её принято называть RAM (Random Access Memory).

Постоянная память обычно содержит такую информацию, которая не должна меняться в течение длительного времени. Постоянная память имеет собственное название - ROM (Read Only Memory), которое указывает на то, что ею обеспечиваются только режимы считывания и хранения.

Долгое время подсистема ОЗУ не развивалась: увеличивался объём памяти, в РС и больших ЭВМ пришёл кэш, несколько возросло быстродействие микросхем.

Классификация и основные характеристики ОЗУ.

Кэш-память

Кэш-память предназначена для согласования скорости работы сравнительно медленных устройств, таких например, как динамическая память с быстрым микропроцессором. Обычно программа использует память какой либо ограниченной области. Храня нужную информацию в кэш-памяти программа позволяет избежать циклов ожидания в его работе, которые снижают производительность всей системы.

Не всякая кэш-память равнозначна. Большое значение имеет тот факт, как много информации может содержать кэш-память. Чем больше кэш-память, тем больше информации может быть в ней размещено, а следовательно, тем больше вероятность, что нужный байт будет содержаться в этой быстрой памяти. Очевидно, что самый лучший вариант - это когда объём кэш-памяти соответствует объёму всей оперативной памяти. В этом случае вся остальная память становится не нужной. Крайне противоположная ситуация - 1 байт кэш-памяти - тоже не имеет практического значения, так как вероятность того, что нужная информация окажется в этом байте, стремится к нулю. Практически, диапазон используемой кэш-памяти колеблется в пределах 16-512К.

С помощью кэш-памяти обычно делается попытка согласовать также работу внешних устройств, например, различных накопителей, и микропроцессора. Реализация кэш-систем не так проста, как это может показаться с первого взгляда. Микропроцессор должен не только читать из памяти, но и писать в неё. Что случится, если процессор занесёт новую информацию в кэш-память, а перед использованием этой информации она будет изменена в основной памяти? Для избежания подобной ситуации иногда реализуется метод, названный записью через кэш-память. Очевидно, что этот метод снижает быстродействие системы, потому что приходится писать не только в кэш-память. Хуже того, микропроцессору может понадобиться информация, которую он только что записал и которая ещё не была перезагружена в кэш-память.

Целостность памяти - это одна из самых больших проблем разработчиков кэш-памяти. Все вопросы по преодолению этих проблем были возложены на отдельную микросхему -кэш-контроллер Intel 82385. Соответствующий контролер кэш-памяти должен заботиться о том, чтобы команды и данные, которые будут необходимы микропроцессору в определенный момент времени, именно к этому моменту оказывались в кэш-памяти.

Для этого существует принципиально иной тип оперативной памяти - SRAM, что расшифровывается как Static (Статическая) RAM.

Статическая память (SRAM).

В ней элементарная ячейка представляется не конденсаторами, а статическими триггерами на биполярных или МДП - транзисторах. Число состояний триггера равно двум, что позволяет использовать его для хранения двоичной единицы информации. Получив заряд один раз, ячейка такой памяти способна хранить его сколь угодно долго, по крайней мере до тех пор, пока будет питание. Естественно, что в данном случае исчезают непроизводительные задержки на обновление информации, что приводит к ускорению работы с такими микросхемами. Однако SRAM стоит существенно дороже, чем DRAM. В результате, сфера применения микросхем SRAM ограничена теми областями, для которых требуется небольшой объем памяти, а значительное быстродействие.

Идеальный вариант - кэш - память, где SRAM применялась и применяется поныне. Перед пользователем обычно не встаёт проблема выбора кэш - памяти: в современных материнских платах для Pentium кэш - память обычно просто распаяна на плате. Более того, кэш - память первого уровня давно встраивается в центральный процессор, а в последнее время эта участь постигла и кэш II-го уровня в процессорах линии Pentium II. В ближайшее время то же самое произойдёт и с процессорами для Socket 7 ( стандартный Pentium - разъем): например, ожидаемый вскоре процессор AMD К6 - 3 будет содержать кэш второго уровня. В отличии от Pentium II он поддерживает кэш третьего уровня (на материнской плате).

Однако по большому счёту память современных компьютеров на базе процессора Pentium собирается из таких же чипов, которые использовались в древнем IBM PC AT. Между тем, рост быстродействия центральных процессоров в последнее время привёл к тому, что стало просто невозможно мириться с отсталостью технологий ОЗУ. Поэтому в настоящее время в этом направлении происходят бурные революционные изменения.

Динамическая память (DRAM).

В настоящее время широкое распространение получили устройства динамической памяти базирующиеся на способности сохранять электрический заряд. Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной ёмкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном элементе памяти и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле.

Глядя на аббревиатуры, относящиеся к оперативной памяти, несложно заметить, что все они состоят из сочетания DRAM: FPM DRAM, EDO DRAM, SDRAM и т.д. RAM (Random Access Memory) переводится с английского как “Запоминающее устройство с произвольным доступом” -

А буква D - сокращение от слова Dynamic, т. е. динамический. Память называется динамической, так как ячейка стандартного ОЗУ представляет собой конденсатор, сформированный внутри полупроводникового кристалла, хранящий электрический заряд. Как известно, конденсаторы могут самопроизвольно разряжаться, что приводит к потере информации. Чтобы этого не происходило, информацию нужно постоянно обновлять. Из-за непрерывной природы этого процесса такая память называется динамической.

В современных персональных компьютерах динамическая память реализуется на базе специальных цепей проводников, заменивших обычные конденсаторы. Большое количество таких цепей объединяются в корпусе одного динамического чипа. Однако подобно памяти на конденсаторах, она должна постоянно освежаться.

Так работают практически все типы микросхем оперативной памяти - от устаревших FPM DRAM до перспективных Rambus DRAM. Все остальные отличия между ними - уже технологические “довески”, позволяющие выжать из обычных микросхем дополнительное быстродействие.

Эволюция микросхем памяти.

Эволюция микросхем ОЗУ вплотную связана с эволюцией персональных компьютеров. Для успеха настольных компьютеров требовались миниатюрные чипы ОЗУ. По мере увеличения ёмкости памяти цена скачкообразно возрастала, но потом постоянно уменьшалась по мере отработки технологии и роста объёмов производства.

Первые PC реализовывались на стандартных RAM-чипах по 16 Кбит. Каждому биту соответствовал свой собственный адрес. Где-то около года после представления XT появилось ОЗУ с большими возможностями и более эффективное с точки зрения его цены. Хотя новые микросхемы могли вмещать по 64 Кбит, она были дешевле чем 4 по 16 Кбит. Системная плата PC была создана с учётом использования новых микросхем памяти. Через несколько лет 64 К битные чипы стали настолько широко распространены, что стали дешевле чем 16 К битные микросхемы. К 1984 году был сделан ещё один шаг по увеличению объёма памяти в одном корпусе - появились 256 - К битные микросхемы. И RAM чипы этого номинала были установлены на первых AT.

А сегодня микросхемы в 16 Мбит стали обычным явлением. PC имел довольно простую архитектуру памяти, по крайней мере, если на неё смотреть сейчас с высоты последних достижений компьютерной индустрии. Память PC была представлена одним блоком, в котором каждый байт был доступен по указанию его адреса. Микросхемы памяти были разбиты на 9 банков, использующих в ранних PC 16-Кбитные, а затем и 64-Кбитные микросхемы. Восемь микросхем выделяли по одному биту для организации каждого байта памяти, девятая микросхема использовалась в качестве контрольного бита чётности. Когда микропроцессор 80286 стали использовать в AT и их аналогах, возникла проблема с организацией архитектуры памяти. Обычные микросхемы памяти не могли работать в таком быстром темпе, в котором работал микропроцессор. Поэтому пришлось использовать статус ожидания, в случае когда процессор требовал информацию из памяти, то есть микропроцессору приходилось зависать на один-два такта, что давало возможность памяти обработать запрос.

Когда - то всё было просто: частота центральных процессоров не превышала 10 МГц, что позволяло для системы ОЗУ применять микросхемы с временем доступа 100 нс., а то и больше. Кроме того, операционные системы и прикладные программы были нетребовательны к памяти: все они отлично работали с объёмом ОЗУ до 640 Кбайт.

Естественно, что тогда особого внимания объёму память никто не уделял. Даже при работе с оперативной памятью используется обычная системная шина PS - bus или ISA. Проблемы возникли после появления процессоров линии 80386: тактовая частота последних составляла от 16 до 33 (а позднее 40) МГц. Не сложно подсчитать, что при этом длина такта находится в диапазоне от 25 до 60 нс., что существенно меньше, чем у распространённых на тот момент микросхем DRAM. Новые прикладные программы постоянно требовали всё большего объёма ОЗУ, что повышало требования к скорости обмена с памятью. В сложившейся ситуации память стала одним из важнейших факторов, влияющих на повышение быстродействия компьютеров. Путём введения отдельной шины памяти удалось лишь немного увеличить быстродействие, т.к. тактовая частота ISA до сих пор фиксирована на 8 МГц. К тому же отдельная шина была 32-разрядной как новые процессоры. После этого появились сложности с быстродействием самих микросхем. Переход на чисто статическое ОЗУ был не выгоден: цена готового компьютера возросла бы на порядок, а то и более.

Именно тогда в РС стали активно применять кэш-память, сначала одноуровневую, а затем (после появления процессора j486)- двухуровневую. Впрочем, это не могло значительно улучшить ситуацию: нужно было увеличить быстродействие всего объёма оперативной памяти и в то же время сохранить старую элементарную базу. Изменение ситуации коренным образом было невозможно: несмотря на все попытки даже сейчас полный цикл доступа к случайной ячейки ОЗУ составляет не менее 50 нс. Разработчики поставили задачу: ускорить по крайней мере наиболее часто встречающиеся операции. Как показывает практика, чаще всего доступ к ячейкам памяти происходит не случайным образом, а последовательно.

Страничный режим, расслоение банков

Ещё одна разновидность архитектуры оперативной памяти компьютера - это её разбивка на отдельные секции. В современных процессорах, например, такая операция специально оптимизирована: для считывания нескольких подряд идущих слов памяти достаточно передать адрес первого, а не всех требуемых слов. Соответственно уменьшается число передач данных по шине, к тому же, чем больше слов пересылается за один раз (так называемый пакетный режим), тем больше выигрыш. Сделано это в первую очередь для ускорения обменов “память - кэш”. Для ускорения работы памяти в пакетном режиме были разработаны различные “хитрые” способы хранения информации: страничный режим, расслоение банков, быстрый страничный режим (FPM) и т. д.

Большая скорость доступа к ограниченным областям памяти является особенностью некоторых специфических микросхем, которые позволяют некоторому объёму, но не всей памяти, быть считанному без цикла ожидания. Этот подход требует специальных RAM микросхем, которые делят свои адреса по страницам. Эта технология получила название режима страничного доступа. Эти специальные микросхемы обеспечивают очень быстрый доступ в одном из двух направлений их организаций. Если требуется чтение или запись информации, хранящейся на определённой странице памяти, и предыдущая команда по работе с памятью использовала информацию с той же страницы, цикла ожидания не требуется. Однако при переходе с одной страницы на другую циклы ожидания неизбежны

Следующая интересная технология, названная interleavid memory, очень похожа на ОЗУ страничного режима. Она существенно повышает скорость обращения к памяти, но не имеет ограничений по страничной разбивке. При использовании этой технологии вся оперативная память разбивается на два или большее число банков. Последовательность битов хранится в разных банках, поэтому микропроцессор обращается то к одному, то к другому банку при чтении этой последовательности. Во время обращения к одному банку, другой реализует цикл обновления, и поэтому процессору не приходится ждать. И только, если микропроцессору приходится читать несмежные биты, статус ожидания неминуем, но вероятность его появления уменьшается.

Наиболее типовая реализация этой технологии представляется разбивкой оперативной памяти на два банка, А следовательно, вероятность возникновения ожидания - 50%..Четырёхбанковая организация уменьшает эту вероятность до 25%.

Так как данная технология не требует применения специальных микросхем памяти, она является наиболее удобной для повышения скорости системы. Кроме того она может совмещаться с ОЗУ страничного режима, что ещё больше увеличивает оперативность.

Память типа FPM DRAM использовалась долгие годы, а банки оказались настолько удачным решением, что используются в современной памяти по умолчанию, что оговорено в стандарте (например так сделано в SDRAM ).Всё это позволяло увеличивать быстродействие на несколько процентов, однако скорость работы нужно было повысить в несколько раз.

Ситуация усугубилась после появления процессора Pentium. Применение 64-разрядной шины памяти, работающей на частоте 66 МГц, повышало быстродействие обменов с памятью в четыре раза, по сравнению с наиболее часто используемой в компьютерах предыдущего поколения 32-рзрядной шиной на частоте 33-МГц. Однако для этого нужна была такая малость, как увеличение быстродействия самих модулей ОЗУ по меньшей мере в те же четыре раза.

Появление памяти типа EDO, являющейся дальнейшим усовершенствованием FPM, увеличило скорость работы всего лишь в полтора раза. Однако этого было недостаточно. Разработка более быстрого стандарта BEDO так и не была завершена. Память типа EDO сегодня достаточно активно применяется в компьютерах на базе процессоров семейства Pentium и даже временами продаётся в новых системах. Тем не менее, она считается безнадёжно устаревшей. Ведь кроме низкой на сегодняшний день скорости работы, для всех упомянутых типов оперативной памяти существует и такая проблема как их не способность работать на частотах выше 66 МГц. Точнее, их можно заставить работать на более высокой частоте, но лишь увеличивая циклы задержки. Проблема эта носит принципиальный характер из-за деталей реализации их асинхронной электрической схемы. А внешняя частота центральных процессоров (и, следовательно, частота системных плат ) давно перешла этот барьер. Первой официально использующей частоту 75 МГц была фирма Cyrix, ныне же процессоры Intel и AMD работают на внешней частоте 100МГц.

SDRAM : день сегодняшний

Большинство проблем, связанных с низким быстродействием подсистемы оперативной памяти, позволяет решить память SDRAM. Первоначально разработанная для видеокарт ( как замена дорогой двухпроводной VRAM ), она оказалась отличным решением и для высокопроизводительных персональных компьютеров. С одной стороны, высокое быстродействие модулей памяти SDRAM и способность работать на высоких частотах наконец-то дали производителям компьютеров систему ОЗУ, удовлетворяющую сегодняшним требованиям к быстродействию. С другой стороны, использование всё той же элементной базы позволило достичь всего этого без повышения цены на готовые изделия.

Итак, в основе SDRAM лежат всё те же микросхемы стандартной DRAM. Каким же образом достигается увеличение быстродействия? Основных особенностей, по сравнению с классической памятью, три: чередование, пакетно - конвейерный режим и синхронизация работы с центральным процессором.

Чередование или расслоение банков достаточно известный способ работы. Сущность его в следующем. Если два последовательных обращения к памяти происходят к одним и тем же микросхемам, то второе запрошенное слово (или двойное слово - особой разницы здесь нет) будет получено только через время, равное полному циклу памяти. Связано это с довольно многими факторами, следующими из схемотехники DRAM. При обычном однобанковом устройстве модуля памяти, каждое последующее слово можно получать лишь через 50 нс. после предыдущего, а то и реже. Если разбить память на отдельные области (банки), то при последовательном доступе одно слово будет выдаваться первым банком, а следующим банком - второе и т. д. К тому моменту, когда снова нужно будет обратиться к первому банку, пройдет полный цикл и он будет готов выдать данные без задержки. Теоретически, при достаточно быстрой работе шины ускорение работы прямо пропорционально числу банков памяти. На практике это не достижимо: существуют накладные расходы, кроме того, программа может обращаться к памяти не последовательно, а к произвольным ячейкам, что легко сводит все преимущества расслоения на нет. Однако, в большинстве случаев деление на банки работает.

В модулях SDRAM используются четыре банка. Пакетный режим работы памяти сходен с алгоритмами в кэш - памяти. Суть его в том, что при обращении к ячейке с каким либо адресом, автоматически генерируется пакет данных, включающих как эту, так и несколько последующих ячеек. В результате при обращении к ним, память сразу же, без задержек, готова выдать требующуюся информацию. Естественно, что пакетно - конвейерный режим повышает эффективность расслоения банков: практически всегда контроллер ОЗУ производит обращение по смежным адресам, не зависимо от желания процессора. Другой вопрос, что такое повышение эффективности работы может оказаться мнимым: считанные из памяти данные так и останутся невостребованными процессором.

Два этих типа ускорения работы применялись уже давно и в настоящее время стали стандартными. А вот еще одна отличительная особенность SDRAM по сравнению с другими типами оперативной памяти стала действительно новшеством. Речь идёт о синхронизации работы с центральным процессором.

Раньше системы памяти функционировала асинхронно, поэтому, запросив из нее какие - либо данные процессор был вынужден входить в холостой цикл для того, чтобы их дождаться, так как время ожидания было неизвестным, и это не позволяло заниматься другой работой. Благодаря синхронизации деятельность памяти и процессора, последний всегда “знает”, через сколько тактов он получит необходимые данные. Если результат обращения к памяти нужен не сразу, ЦП может выполнить некоторые команды вместо того, чтобы просто прекращать работу. Соответственно, возрастает эффективность работы современных процессоров, что повышает производительность всей вычислительной системы.

У синхронности работы есть и другая отличительная особенность: теперь контроллер оперативной памяти всегда заранее “знает”, через сколько тактов процессору понадобятся данные из памяти, что позволяет ему оптимизировать свою работу. Именно синхронную (по отношению к процессору) работу новой памяти обычно рассматривают как основную ее особенность, что заложено в названии: Synchronous DRAM.

Истинная скорость работы

Совокупное использование синхронизации работы, расслоения банков и пакетно-конвейерного режима способствует значительно (в несколько раз) ускорению работы системы памяти. Кроме того, SDRAM в состоянии работать без циклов задержки на частоте до 100 МГц, а наиболее качественные модули - до 125 МГц (на практике достигается до 133 МГц). Таким образом, время цикла памяти SDRAM составляет 7 - 10 нс. Существует мнение, что указываемое в спецификациях время цикла соответствует времени доступа. Считают, что у памяти SDRAM с частотой 100 МГц время доступа равно 10 нс., и она всегда работает в 5 раз быстрее, а у EDO DRAM - 50 нс. На самом деле это не так. И те и другие модули имеют полное время доступа 50 нс., то есть при обращении по случайному адресу данные будут получены именно через это время для обоих модулей памяти. При последовательном обращении второе слово модуль EDO выдаст через 20 нс., а модуль SDRAM - через 10 нс. Очевидно двукратное ускорение. При четырёх последовательных обращениях (наиболее распространённый случай) модулю EDO для выполнения запроса потребуется

50 + 3 х 20 = 110 нс., модулю SDRAM соответственно

50 + 3 х 10 = 80 нс.

Можно заметить, что никакого пятикратного роста нет - быстродействие SDRAM выше примерно на 50 % и полностью пропадает при большом числе обращений по случайным адресам.

Впрочем, сегодня разговоры о том, что SDRAM безусловно быстрее, чем любые другие типы оперативной памяти, вполне уместны: если для EDO не существует в природе (а если и существует, то в продаже не появлялись) модули со временем доступа меньшим, чем упомянутые 50 нс., то для SDRAM время цикла 10 нс. отнюдь не предел. Сейчас наибольшее распространение получают микросхемы с временем цикла 8 и даже 7 нс. Время доступа для них равно уже не 50, а 40 нс., благодаря чему получается значительный выигрыш по сравнению с EDO. Если вернуться к нашему примеру, то SDRAM с частотой 125 МГц. на считывание четырёх слов затратит

40 + 3 х 8 = 64 нс. впрочем, с такой скоростью может не справиться системная шина, официально пока не работающая с частотами больше 100 МГц.)

Прогресс технологии

С современными задачами SDRAM в принципе справляется неплохо. Однако уже в ближайшее время её возможностей может оказаться недостаточно. Во-первых, это касается скорости её работы, которую неплохо бы увеличить уже сегодня. А во-вторых, важно дальнейшее повышение рабочей частоты, хотя это становится очевидным не сразу. Дело в том, что повышать внутреннюю частоту центрального процессора путём увеличения множителя занятие не благодарное: на определённом этапе может появиться более дорогой процессор, чем существующая модель, но при этом практически не повышающий быстродействие системы ( которое зависит не только от скорости работы процессора, но и от частоты работы материнской платы). В этой связи очень показательна ситуация с компьютером на базе Intel Pentium 166 и 200. В своё время их стоимость отличалась в значительной степени, а по части производительности системы разрыв получался порядка 5% . Линию Pentium II пока спасает встроенный кэш второго уровня, но надолго ли его хватит? Скорее всего, недавно выпущенный Pentium II 500 станет последним в ряду процессоров с внешней частотой 100 МГц. это косвенно подтверждает и Intel, объявив, что для новых процессоров разрабатывается шина с частотой 200 МГц. а возможностей классической SDRAM уже недостаточно.

Один из выходов в применении разработанной компанией Samsung памяти типа Double Data Rate SDRAM, называемой также SDRAM II. Ныне она уже стандартизирована ассоциацией и поддерживается некоторыми чипсетами. Благодаря отдельным косметическим улучшениям, данная память способна работать на частоте 200 МГц и обеспечивает в два раза большую производительность, чем SDRAM.

Ещё более производительной будет память SLDRAM. Она работает не с четырьмя, а с шестнадцатью банками и поддерживает частоту до 400 МГц. впрочем, это лишь проект, проводимый группой из двенадцати крупнейших производителей DRAM. Выход новой памяти на рынок ожидается в ближайшее время, пока имеются лишь образцы. Межотраслевой стандарт отсутствует.

Поскольку процессоры некоторых архитектур уже перешагнули барьер в 1 ГГц повышение в будущем тактовой частоты обеспечиваемой SLDRAM даже до 400 МГц, будет не достаточно необходимо по меньшей мере 600 МГц. Пропускная способность 400 Мбайт/с тоже невелика: до сих пор, разрабатываются новые микросхемы памяти, все пытаются угнаться по быстродействию за процессорами, но ни о каком запасе скорости на пару-тройку лет развития и речи нет, а потребность в этом уже ощущается.

В общем обычные микросхемы DRAM просто не способны работать в необходимом сейчас режиме, поэтому нужен переход на новую технологию, которая уже предложена фирмой Rambus и называется RDRAM. У неё масса весьма существенных отличий от обычной памяти. Первоначальный вариант RDRAM, применённый в графических рабочих станциях ещё в 1995 году. По возможностям (600 МГц частота и 600 Мбайт/с пропускная способность) обгоняет SLDRAM, который ещё год придётся ждать.

В1997 году появилась улучшенная спецификация Concurrent RDRAM - по скорости она аналогична предыдущей, однако показывает хорошие результаты даже на маленьких блоках. Благодаря отличным характеристикам новой памяти, её лицензировало огромное количество производителей. уже сей час она применяется в мощных игровых приставках и многих платах расширения для РС. Данный проект получил поддержку Intel ещё в 1996 году. В следующем году фирма Rambus продемонстрирует новое улучшение RDRAM, которое называется Direct RDRAM. Память этого типа будет способна работать на частоте до 800 МГц, обеспечивая быстродействие 1,6 Гбайта/с для однобанкового модуля и 3,2 Гбайта для двухбанкового. Пока память типа Rambus не стандартизирована на высоком уровне, но этого вполне можно ожидать.

Микросхемы и модули

Выше речь шла о разнообразных чипах памяти. Именно они определяют основные характеристики собственно ОЗУ. Много лет назад, когда только начали появляться РС, память в компьютеры устанавливалась непосредственно теми же микросхемами. Разрядность микросхемы всего один бит, а ширина шины всего 8 бит плюс ещё девятый для контроля чётности. Значит, микросхемы нужно было вставлять по 9 штук сразу, а места они занимали очень много. Впрочем, тогда это было не столь уж важно: редко кто из пользователей расширял память компьютера, да и возможностей для такого расширения было не много. Потом уже стали применять модули памяти. Хотя было предложено несколько их вариантов, однако на долгое время закрепиться удалось лишь модулям типа SIMM - с однорядными печатными контактами. Первое время они имели разрядность 8 бит и 30 контактов. В результате вы 16- разрядных компьютерах они использовались парами, а в 32- разрядных четвёрками. Долгое время работали только с ними, затем им на смену появились 32- разрядные 72- контактные модули. Для владельцев распространённых тогда “четвёрок” они стали просто спасением: устанавливать или менять нужно было не более одного модуля. Такой тип модулей памяти “дожил” и до появления Pentium, и даже активно применялся в компьютерах этого класса. Однако теперь модули SIMM пришлось вставлять парами.

 

Следующая страница


 
     
 

2021 © Copyright, Abcreferats.ru
E-mail:

 

Яндекс.Метрика